碳化硅晶体相关论文
半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速......
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势，被认为是制作高......
以再结晶碳化硅（RSiC）为基体,利用其特殊的三维连通孔结构,通过MoSi2高温熔渗法来制备具有三维互穿网络结构的MoSi2-RSiC复合材料,可......
微波作为一种新型和环境友好型的加热方式,其节能高效、清洁环保的加热特点备受国内外学者的广泛关注。微波加热技术制备SiC晶体已......
碳化硅是一种间接宽带隙的半导体材料，具有广泛的应用前景。它的结构特性之一是多型性，结构的多型性使它具有诸多不同的光学及电学特......
作为第三代半导体的碳化硅(Si C)材料,具有多项优异的性能,诸如宽禁带、高热导率、高击穿场强等,这使得它能代替硅(Si)材料在高温......
离子辐照作为一种材料表面改性方式，可以使材料表面的物理、化学、电光、机械性能等发生改变，能有效地优化材料表面的各种性能。通过......
6H-SiC是一种第三代半导体材料，具有宽带隙，高电子密度和电荷迁移率，优良的热传导和机械性能，在电子学和光学领域具有广泛的应用前景。......
优势产业初步形成rn《兵团建设》:去年召开的兵团党委六届六次全委(扩大)会议上,自治区党委书记张春贤指出,“十二五”期间兵团要......
采用含特种基团有机硅聚合物制备了拉伸强度为3.92MPa,扯断伸长率为285%的新型硫化硅橡胶,与道康宁公司Sylgard184硅橡胶相比具......
碳化硅晶体硬度高，属于难加工材料，环形金刚石线锯加工具有切缝窄、加工效率高、加工质量好、能加工硬度高尺寸大的脆性材料的优势。......
近期，不少杂志报道美国北克罗里达州一家公司发明了一种叫ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭｏｉｓｓａｎｉｔｅ的合成物质，即将取代合成立方氧化锆而成为钻石更好的代用品。这种合成物质......
采用C语言建立了碳化硅(SiC)晶体生长炉三维温度场数值模拟平台,基于柱坐标系构建生长炉物理模型,采用有限体积法离散数学模型,利......
<正>理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件。随着材料与器件工......
随着光电子、微电子技术的发展,碳化硅晶体作为第三代半导体材料得到了广泛的应用和高度的重视。而碳化硅晶体硬度高、脆性大,是一......
物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法。本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长......
研究了SiC晶体高温化学气相沉积生长机理，从SiC晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行......
利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照6H-SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(full width at half maximum,FWHM)增大,之......
