增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高压、高频、大功率、小型化等优异特性,已成为下一代功率电子的核心技术。基于新的器件物......

摘 要：文中针对当前通过在AlGaN层进行F-离子注入这种实现AlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F-起到对导......

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尽管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得很大的进步,因为缺少p型沟道的AlGaN/GaN HEMTs,类似CMOS的电路组成不能实现。通......