大功率半导体相关论文
利用波长为９０５ｎｍ，ＧａＡＳ大功率半导体脉冲激光器为泵浦光源，采用光时域反射ＯＴＤＲ（ＯｐｔｉｃａｌＴｉｍｅ－ＤｏｍａｉｎＲｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）技术，以及高速采样平均技术对芯径为５０／１２５μｍ，１ｋｍ长的ＧＩ多模光纤的后向散射光光谱进......
自锁模钛宝石激光实现全固化运转＊魏志义陈毓川李健何京良侯炜房哓军许祖彦（中国科学院物理研究所光物理实验室，北京１０００８０）邓佩珍徐军周永宗......
大功率半导体激光器在工业领域有着广泛的应用。综述了大功率半导体激光器的特性,着重介绍了其在国内外表面改性领域的研究进展,并......
采用实验与神经网络预测相结合的方法,对基于温度控制的激光相变硬化工艺参数进行了研究。首先,使用基于温度可控的大功率半导体直......
为提高金属模具材料的性能,研究了激光增材技术（3D打印）、激光熔覆技术和激光淬火技术等.结果表明：激光3D打印技术制备的镍基合金表面......
【正】樊仲维,从事衍射光学、光学仪器和大功率半导体泵浦激光技术等领域研究。现任中国科学院光电研究院副院长、博士生导师,中国......
本文通过介绍超声波扫描技术的工作原理、测试方法,利用实验对大功率器件进行现场C扫描测试分析,来诠释其在大功率半导体器件生产......
<正> 这是一种采用新配方的大功率电阻器。它具有高比功率(达1.6W/cm~2),耐高温(表面工作温度允许达500℃),和较低电阻值(2Ω)的优......
本文介绍了一种新研发的10kV集成栅控晶闸管（IGCT）芯片,其耐压和电流容量是目前市场上可用IGCT中最大的。这种器件在GCT晶片设计上做......
IGBT是综合MOS管和双极晶体管特征优势的一种新型半导体复合器件,自面世以来,IGBT以其优越的动静态性能作为一种新型电力电子半导......
<正>GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注,成了近期半导体光源技术的发展热点,是许多......
