利用LPCVD方法，在厚表层Si(SOL≈0．5μm)柔性绝缘衬底(SOI）(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC／SOI，表明SOI是一......

高质量氮化镓（GaN）材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是GaN基材料及其量子结构的固有......

GaAs系III-V族多结太阳电池具有光电转换效率高、抗辐照性能强、使用寿命长等优点。相比传统的Ga0.5In0.5P/（In）GaAs/Ge结构太阳电池......