利用LPCVD方法，在厚表层Si(SOL≈0．5μm)柔性绝缘衬底(SOI）(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC／SOI，表明SOI是一......

研究了拉伸取向尼龙1010的抗张回复现象.残存应变ε′表征了由链滑移而产生的永久形变，回复应变(ε-ε′)表征了键角变化和链段取向......