传统的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Filed Effect Transistor）在常温下有着60mV/dec的亚阈值......

本文介绍了电涌保护器（SPD）的定义、构造，并指出了大部分电涌保护器是由压敏电阻组成的。进而分析了压敏电阻的工作原理、U-I特性曲线......

针对双向可控硅（DDscR）在特征尺寸不断缩小的集成电路中，难以达到窄小静电放电（EsD）设计窗口的ESD防护需求，设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR......

为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉......

栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线......