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以SiH4为生长气源,利用VLS(气相一液相一固相)互反应生长机制,在RT-CVD生长设备上通过向(111)硅衬底表面引入Au,生长出长达数个微米而直径......
利用三维非线性有限元程序进行计算分析,研究了拱坝结构的稳定性和分叉准则,从平衡的唯一性出发,推导了失稳状态的分叉模式,给出了......
无位错二溴三丙烯基硫脲合汞(ATMB)晶体生长机制于锡玲孙毅侯文博程振翔张树君(山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100)GrowthMechanismofDislocationFreeATMBCrsytalsYuXilingSunYiHo.........
本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法———离心倾液法。用该方法获得了过共晶Al-Si合金初晶的Si的生长形貌,发现了初晶Si存在位错台阶生......
在对华北克拉通东部及扬子地台西部产出金刚石的表面形貌研究的结果表明,金刚石的表面形貌特征丰富,如果从生长及后期改造的角度来考......
用悬浮区熔法制取生长轴向为,、和四个取向的铌单晶。在总结制取单晶工艺同时,从晶体生长和热力学角度对有关机理进行探讨,指出提......
一、引言用水平法生长GaAs晶体时,常常出现孪晶。很多人对这种孪晶形成的原因及规律做了探讨,目前尚有争论。我们的实验表明,当熔......
本文着重从晶体成核理论的基本公式和机理分析讨论了用汽相外延方法在多晶硅层上生长单晶的可能性及影响生长的因素,并用理论分析......
本文论述了LEC-InP单晶生长过程中出现孪晶现象的机理,实验论证了在大多数情况下孪晶面是由棱上{111}小平面发展而成的。用选择生......
本文研究了邻近无力场位形的锐边界高β反场收缩位形的撕裂模不稳定性。讨论了导体壁对于不同反场位形的m=0, 1和2模的影响,并给出......
本文应用撕裂模理论研究了电流分布对破裂不稳定性的影响。结果表明这种不稳定性由q=2奇异面附近电流梯度的增大引起,因此只要在奇......
介绍了针对状态变量不等式约束的复杂追踪对策问题的一阶、二阶最优性必要条件,尤其是详细探讨了由状态约束和非平滑数据产生的奇......
利用热壁化学汽相沉积在Si基上生长GaN薄膜.用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)和......
随着航天技术的发展,对地观测卫星的分辨率被要求得越来越高。高精度的对地观测分辨率可以获得敏感目标更细致的信息,已成为了当前对......
采用化学气相沉积系统,不用催化剂,生长过程中采用变温技术,在S i基片上合成了ZnO纳米针阵列。扫描电子显微图(SEM)显示ZnO纳米针阵......
When calculating electromagnetic scattering using method of moments(MoM), integral of the singular term has a significan......
采用电力电子接口的风力发电机动态特性与同步机差异很大,传统的动态安全域(dynamic security region,DSR)边界解析法主要针对电源......
提出一种考虑暂态电压稳定的低压减载最佳地点的选择方法。在电力系统微分代数方程模型中,系统轨迹碰到奇异面对应着系统发生暂态......
研究一个由静态负荷决定的单机无穷大系统 ,它的数学模型是一个微分代数方程 (DAE)。利用特征值分析方法 ,我们发现模型的平衡解曲......