详细分析了 ＭＯＣＶＤ ＡＩＧａＩｎＰ ＬＥＤ外延片中 Ｖ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及 Ｍｇ掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有......

详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源......

ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ等异质材料在室温和低温下的光荧光测试中的工为３￣３０ｎｍ宽带隙夹层峰。夹层的化学成分主要是ＩｎＧａＰ，它与ＭＯＣＶＤ生长时开关程序和ＰＨ２或ＡｓＨ３气流空流时间及气体存......