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AlN是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，广泛用于制备蓝紫光发光二极管和半导体激光器。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备AlN的主要方法。由......
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文章研究了MOCVD系统中影响AlN生长速率的机制.我们通过在位监控曲线控制生长过程,改变了不同的生长条件,得到了AlN生长速率与生长......
文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制.在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率......
本文总结了MOCVD反应器中，由TMAl和NH3为反应源生长AlN时出现的气相反应、表面反应及化学沉积中的寄生反应。......
利用量子化学的密度泛函理论,研究用于制备紫外光电器件的AlN薄膜在MOCVD生长中的气相寄生反应,计算与气相纳米粒子相关的3种主要......
