材料生长相关论文
在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和......
石墨烯的发现引发了人们对于二维材料的思考与探究,二维材料有着优异的光学、电学等各种特性,其生长、制备及器件方面的研究不断涌......
GaN基材料因其优越的性质而适于制作新型光电子器件和大功率电子器件，十多年来一跃成为飞速发展的研究前沿。GaN紫外探测器在飞行器......
由于对红外探测器性能的要求不断提高，光子型探测材料因其灵敏度高、响应速度快、探测率高等优势成为优选材料。InAs/GaSbⅡ类超晶......
近些年来，GaN基异质结材料作为超高频大功率器件的核心材料其结构设计，器件制作，工艺优化被广泛研究。一直以来提高功率密度缩小器件......
由我校材料科学研究所承担的国家863计划“GaN基蓝光材料生长及LED器件研制”项目,于2000年12月4日一次性通过863新材料领域专家委......
1 课题简介rn本课题的主要研究内容是针对GaN基深紫外LED外延材料生长的MOCVD设备的研制、开发和生产.研制的MOCVD设备基本性能指......
1 课题简介rn我国能源危机日益严峻,而半导体照明可大大达到节电目的.半导体照明技术广泛应用于白光通用照明、装饰照明、汽车等各......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
期刊
以GaAs/AlGaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱......
文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制.在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率......
通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度，设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构，采用固态源分子束外延MBE设备生长......
近年，作为绿色、蓝绿色、蓝色和蓝紫色发光材料，Ⅲ族氮化物，如ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ的研究引起了人们的广泛关注。本文主要介绍了ＧａＮ基蓝色发光材料与......
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值.探讨了AlGaN pin 紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器......
介绍了目前砷化镓量子点太阳电池的研究现状,主要包括:量子点太阳电池理论分析、量子点结构材料生长与性能表征、量子点太阳电池器......
作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在......
近日，世界首个集材料生长、器件制备、测试分析为一体的纳米领域大科学装置——纳米真空互联综合实验站正在我国江苏苏州工业园区建......
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性，利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料．利用MOCVD技术生长获得了......
期刊
<正> 四、频率转换用的无机非线性材料 在高功率激光器应用中,为了扩展高功率时可达到的波长范围,大部分利用无机非线性光学材料。......
金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,简称MOCVD)自20世纪60年代首次提出以来,经过70年代至80年代的......
学位
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材......
AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度(能带)和晶格常数(应变)的特性,利用这一特性可将异质结构的应变工程和能带工程发挥到最佳,......
学位
