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尖断电压相关论文

Vg=Vd／2应力模式下宽度变窄对HALO-pMOSFETs退化的影响

讨论了最差应力模式下(Vg=Vd/2)宽沟和窄沟器件的退化特性．随着器件沟道宽度降低可以观察到宽度增强的器件退化．不同沟道宽度pMOSFET......

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宽度增强退化尖断电压电流拥挤效应应力模式宽度变窄 HALO-pMOSFETs width-enhanced degradationpinch-off v

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