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含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究
InGaN LED中位错密度达108-1010/cm2,却具有很高的发光效率。对此学术界有两种解释:一种认为载流子被限制在InGaN量子阱的富In局域......
学位
Si衬底
GaN
发光二极管
V形坑
侧壁量子阱
电致发光
垒掺Si
屏蔽压电场
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