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应力迁徙相关论文

VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应

对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12......

会议

多层金属化系统蓄水池电迁移应力迁徙寿命效应孔位置通孔水池结构面积金属离子互连线电迁徙实验设计

ULSI中铜互连线可靠性的研究

本论文研究了ULSI中铜互连的可靠性问题。在铜互连可靠性的几个主要问题中，重点针对互连中的电迁徙和应力迁徙进行了探讨。通过电徙......

学位

铜互连可靠性电迁徙应力迁徙

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