电迁徙相关论文
为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题,采用同步辐射源X射线衍射技术,原位测试了VLSI中Al互连线在电迁徙及加热条件下......
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SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问......
本文首先提出了对集成电路制造中局部缺陷的粒径进行分析的局部等效圆形缺陷理论，从而得到了衡量缺陷粒径模型精度的准则。其次，对真......
本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从......
本论文研究了ULSI中铜互连的可靠性问题。在铜互连可靠性的几个主要问题中，重点针对互连中的电迁徙和应力迁徙进行了探讨。通过电徙......
在现今大规模集成电路制造过程中，某些Memory，LCD产品的金属线刻蚀工序，在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒（主要是Cu颗粒）......
