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为了满足更大功率等级GCT器件对开通性能的需求,提出了一种用于IGCT门极驱动单元的新型开通驱动电路拓扑,并通过原理介绍、对比分......
本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受......
IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dr引起的误触发等问题。本文根......
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