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集成门极换流晶闸管（IGCT）是将门极换流晶闸管（GCT）与门极驱动电路集成在一起的新型功率器件,已经在风力发电、电力系统、机车牵引等大......
研究大功率半导体开关RSD的一种“薄基区-缓冲层-透明阳极”新结构的特点、原理以及对阻断和导通特性的影响。利用工艺软件Silvaco......
本文通过对IGCT结构特点及工作原理的定性分析,建立了IGCT的结构模型,并利用MEDICI软件对IGCT的阻断特性进行了模拟分析,给出了280......
功率半导体器件IGCT芯片的门/阴极之间设计的呈多圈环状平面布局的等效二极管单元数量庞大,为准确快速检测每个单元的特性并筛查出......
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和......
本文介绍了应用于6kV-7.2kV中低压装置中,具有低的通态电压和快速开关的10kV IGCT的设计、实验研究和特性。对进行优化设计的10kV ......
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-......
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用......
本文描述了新型晶闸管FCT的结构和工作原理。介绍了四种不同场控晶闸管的设计考虑。指出,为了获得性能优良的FCT,必须采用隐埋栅与......
水平沟道场控晶闸管是一种新型结构的场控晶闸管,它与一般晶闸管相比具有开关速度快、制作工艺简单、与集成电路工艺兼容等优点.本......
首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释，然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上，用有限差分法和迭代法精确地求解了沟......
提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压......
首次采用适用于龙门刨之类具有高频阻断特性地拖动系统分析的波波夫（Е.П.Поиов）法，对采用磁放大器-扩大机-发电机-电动机组合......
由于生产发展的需要,利用 PN 结相互作用的原理,采用不同材料和工艺,可以制成多种不同性能的可控硅。目前可控硅的派生元件有双向......
目前,各类矿山使用的井下运输设备大都采用直 流架线式电机车,它以直流串激电机作为牵引动力,且均用鼓形控制器实现定频调宽反振式......
该文简述了SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性与发展现状,利用器件模拟软件MEDICI对4H-SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性和阻断......
换流阀用晶闸管作为高压直流输电系统的核心器件,其运行时的性能状态直接决定了输电系统的安稳运行。在实际运维过程中,晶闸管的阻......
研究大功率半导体开关RSD（Reserve Switching Dynistor）的阻断及开通特性,通过高电平大注入理论对其正向特性进行分析,器件通态压降......
介绍了SiC MOSFET器件应用所具有的技术优势,并从理想耐压与导通电阻理论入手,确定了漂移层耐压结构的优化设计;综合考量阈值电压......
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