弱反型相关论文
随着便携式电子产品的不断推出,低功耗电路设计已成为一种趋势,而将MOS管偏置在弱反型区是模拟电路低功耗设计的主要方法。本文研......
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特......
在电子工业的许多产品领域（如手机、笔记本计算机等）,低功耗技术很重要,而将MOS管偏置在亚阈值区是很好的途径。首先介绍了弱反型区......
基于TSMC 0.25μm工艺,设计了一种复合共源共栅两级CMOS运算放大器。与传统CMOS运算放大器相比,该运放利用MOS管工作在弱反型区时......
锂离子电池以其体积小、重量轻、能量密度高、寿命长、环保性佳等优点,越来越多地取代镍镉电池、镍氢电池,在便携式电子产品如移动......
随着便携式电子产品的普及,作为其“心脏”的Li-Ion电池使用也越来越受重视。但由于它很容易遭受到过充电、过放电、过电流等损坏,......
为了满足当今对低压低功耗电路的需求,设计了一种工作在0.5 V电源电压环境的全差分运算放大器.电路使用了由衬底驱动的输入级和工......
