弱反型相关论文
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特......
在电子工业的许多产品领域(如手机、笔记本计算机等),低功耗技术很重要,而将MOS管偏置在亚阈值区是很好的途径。首先介绍了弱反型区......
基于TSMC 0.25μm工艺,设计了一种复合共源共栅两级CMOS运算放大器。与传统CMOS运算放大器相比,该运放利用MOS管工作在弱反型区时......
完成了一个低压微功耗CMOS 轨至轨输出运算放大器的研究设计。采用低电压供电的模拟电路不但能减少电路的功耗,而且能增强电路的稳......
随着便携式电子产品的普及,作为其“心脏”的Li-Ion电池使用也越来越受重视。但由于它很容易遭受到过充电、过放电、过电流等损坏,......
为了满足当今对低压低功耗电路的需求,设计了一种工作在0.5 V电源电压环境的全差分运算放大器.电路使用了由衬底驱动的输入级和工......