亚阈值相关论文
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚......
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
健康物联网(Health Internet-of-Things,H-Io T)被认为是缓解人口老龄化对医疗保障体系压力的重要方式,其核心原理是实时采集人体......
亚阈值电路是低功耗重要发展方向之一。随着电源电压降低,晶圆代工厂提供的标准单元电路性能容易受噪声和工艺偏差的影响,已经成为......
随着便携式电子设备在生活中应用越来越广泛,芯片的低功耗设计技术对一个有竞争力的产品而言尤为重要.本文采用了深亚微米标准CMOS......
目的:对比亚阈值微脉冲(STMP)黄激光单独和联合玻璃体腔注射雷珠单抗治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床效果及安全性.方法:前瞻性临......
随着物联网行业的兴起,对高质量电源管理芯片的需求增长迅速。在无线传感器网络和可穿戴设备等物联网应用中,电池容量有限,而电池......
设计了一种基于CMOS工艺的锂离子电池保护芯片,采用工作在亚阈值区的电路结构,使电路具有高效低耗的特点,能够防止电池在工作过程......
采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特......
设计了一种用于汽车胎压检测系统唤醒和数据传输的低频通信接收机.该低频接收机为数模混合系统,包括高灵敏度的前端解调器和用于数......
为顺应集成电路设计对器件提出更高性能要求的趋势,提出一种高性能折叠I型栅无结场效应晶体管,主要研究此类产品在不同栅极长度下......
设计了一种单节锂离子电池保护电路.分析了系统的特点和应用要求,提出了采用亚阈值电路和由内部数字信号来控制模拟电路工作状态的......
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提出了一种新的低电压低功耗CMOS电流型模拟多功能运算电路,该电路能够运行乘法器、求平方器、除法器以及不同类型的可控增益放大......
针对无线传感器网络（WSNs）密码安全应用过程中的低功耗需求和无线传感器网络节点集成微型化的趋势,提出一种新的真随机源设计方法用......
从准二维泊松方程出发，结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论，建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方......
利用MOS管亚阈值特性，构造了输入输出均为电流信号的模拟乘法器；经过变形，设计了模拟概率计算电路。以此为基础，通过晶体管级的模拟电......
设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)的低功耗带隙基准电压源电路。一方面,通过将电路中运放的输入对管偏置在亚阈值区,大大降......
设计了一种标准CMOS工艺下的阈值电压系统波动检测电路,其检测电路核心部分是工作在亚阈值区的环形振荡器（SRO）。该方案包括8种级数......
基于减少锂离子电池能量的额外损耗,设计了一款超低功耗锂离子电池保护电路.本电路不仅可以对锂离子电池进行全面有效的保护,而且......
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计......
文中提出了一种具有高抗干扰能力的对称结构改进型MRF逻辑，并由此采用混合设计策略实现了一个8位超前进位加法器．该加法器在Synopsys......
利用工作于亚阈值的NMOS器件，产生两个负温度系数的电压源，然后将两个电压源作差，产生稳定的基准电压输出．整体电路采用HJTC180nm标准C......
为缓解传统存储器单元尺寸设计方法在亚阈值区引入的面积和外围电路开销问题,采用晶体管的反短沟效应和反窄沟效应改进传统方法,不......
为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏......
在分析典型带隙基准电压源的基础上,设计了一种低电压、低功耗的带隙基准电压源,采用二次分压技术降低了输出电压;采用亚阈值技术......
基于工作在亚阈值区域的PMOS管，提出一种叠加结构的低失调带隙基准电路。该方法将传统基准电路中倍乘的失调电压转变为均方根的形式......
提出一款可以工作在极低电源电压条件下,功耗极低的亚阈值SRAM存储单元.为使本设计在极低电源电压（200 mV）条件下依然能够保持足够的......
在传统带隙基准的基础上，设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性，在低......
设计了一种基于阈值电压的基准电压源。利用与温度的平方成正比的电流对具有正负温度系数的电压相加时产生的与温度及工艺有关的特......
超低电压SRAM（静态随机存储器）是SRAM设计的一个重要研究方向。传统SRAM一方面由于静态噪声容限的下降,难以在低电压下正常工作,另一......
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路，其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生，正温度......
提出了一种应用于振动能量获取的低压高效接口电路.采用输入电压作为接口电路的电源电压,当输入电压较低时,整个接口电路处于休眠......
摘 要：文章提出了一种基于带隙原理的多路输出的基准电压电路设计。该电路采用标准CMOS工艺，工作电压为1.8～3.3 V，输出基准电压为1.5 V......
基于RFID标签芯片的低功耗要求,本文设计了一种超低功耗的LDO稳压源.其特点是采用0.35μm标准的CMOS数字工艺,采用弱偏置电流,使电......
制造了栅长0．1μm，栅氧厚度5．6nm，栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET．给出了器件的转移特性和输出特性．在Udn=-1．5V时，其饱和漏电流为380μA，关态泄......
有机电致发光二极管（OLED）作为新一代显示技术,将来极有可能取代LCD.OLED的驱动电路也成为研究热点.在已有有源阵列OLED（AM-OLED）驱动......
电压基准作为一个基本的单元电路，在很多电路设计中都占有极其重要的地位。为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求，提出了......
设计了一种CMOS工艺的锂离子电池保护芯片，采用整个电路工作在亚阈值区的电路设计，特别是基准电路和偏置电路，从而使电路具有非常低的......
基于减少锂离子电池能量的额外损耗，本文设计了一款超低功耗锂离子电池保护电路。本电路不仅可以对锂离子电池进行全面有效的保护，而......
提出了一种适用于可变增益放大器（VGA）的微功耗指数电流电路。该电路结构简单，以偏置在亚阈值区的MOSFET为核心器件，并利用其漏源电流I......
模数转换器(ADC,Analog-to-Digital Converter)作为将模拟信号转换为数字信号的桥梁一直都是生物医学类信号处理系统的主要依靠和......
随着物联网的迅速发展,以及便携式设备的普遍普及,高科技电子产品的使用越来越成为人们生活工作中不可或缺的组成部分。集成电路是......
利用亚阈值CMOS管的Ⅰ-Ⅴ指数工作特性,对三级管VBE电压的负温度系数进行补偿,实现了一种针对安全芯片应用需求的新型基准源.该基......
针对传统的对比度增强方法在对低照度图像进行处理时不能同时顾及压缩动态范围、调整亮度以及增强或保持细节等问题,提出一种基于......
随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展，低功耗技术变得越来越重要。本文采用了0．18um的标准CMOS工艺来，设计了一种无电阻、工作在亚阈值......
