电离辐射在ＭＯＳ结构的ＳｉＯ２层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正强栅偏压（＋２０Ｖ）下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向ＳｉＯ２层隧道注入，从而与......