随着科技的发展，神经网络逐渐成为现代智能系统的一个重要研究领域。它在自动控制，智能机器人，医疗器件等方面有着重要的作用。本文中......

传输线中的高速数据传输存在着由于传输线的传输损耗引进的码间干扰,限制了传输速率和传输距离。均衡器电路实现的功能就是补偿数......

随着集成电路工艺尺寸向着超深亚微米级甚至纳米级的进一步缩小,芯片单位面积上的功耗密度不断上升,这使功耗成为集成电路设计中必......

本设计主要由低噪声放大电路、信号放大电路、功率放大电路、单片机控制电路、AD转换、LCD显示、稳压电源等组成。低噪声放大电路......

低频功率放大器对小信号进行功率放大，以控制或驱动负载电路工作。本设计首先用NE5534对小信号进行前置放大，再采用分立的大功率MOS......

电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底......

在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在200......

简要介绍全固态发射机的日常维护和应急处理要点，尤其是对全固态技术最为关键和贵重的元件MOS晶体管的检修要点，做了简单详尽的介绍，......

介绍了一种实现宽带、高增益、低噪音功率放大器的实现方案,该系统以AT89S52芯片为控制核心,采用仪表放大器INA128作为输入级来减......

基于多栅极SET的库仑振荡和相移特性，以及SET和MOS管的互补特性，提出了一种新型的多栅极SET／MOS管混合电路。介绍了该电路的结构和工......

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基......

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验......

提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件--双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJ......

结合单电子晶体管的FV特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想，设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单......

采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0．6vm体硅CMOS工......

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS（简称HV MOS）晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶......

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下，SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难，人们在寻找新的栅......

在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化。基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏......

光伏发电最重要的发电装置是光伏组件，所以光伏组件的质量与可靠性直接决定了整个光伏发电系统的可靠性与稳定性。设计了一种基于MO......

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一......

随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求,力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳......

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子......

在商用标准0·6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的......

以常规能源为基础的能源结构随着资源的不断耗用将愈来愈不适应可持续发展的需要,加速开发利用以太阳能为主体的可再生能源己成为......

功率放大器是＂电子技术＂课程中一个重要内容。本文结合第九届全国大学生电子设计竞赛,介绍了一种由分立的大功率MOS晶体管实现的低频......