微晶硅锗薄膜相关论文
本文以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料.我们首先对材......
硅基薄膜太阳电池因其成本低廉、易于大面积生产等优点，日渐受到人们的广泛关注并且发展迅速。采用多结叠层电池结构，是提高电池效率......
微晶硅锗薄膜具有吸收系数高、带隙可调等优点,是非常有前景的叠层太阳电池的底电池有源层材料。但是,随着锗含量的增高,薄膜中的......
采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，在200oC的衬底温度下，以SiH4和GeH4为反应气体，H2和He为稀释气体，制备微晶硅锗（μc-Si1......
微晶硅锗薄膜具有高吸收系数、窄带隙等特点,是非常有前景的太阳电池吸收层材料。目前,该材料经过不断的优化已初步应用于太阳电池......
硅基薄膜太阳电池由于低成本等潜在优势,日益引起人们的重视并得到了迅速的发展。叠层太阳电池可有效提高硅基薄膜电池的转换效率......
微晶硅锗薄膜作为窄带隙材料，具有吸收系数高、带隙可调的优点，是非常有前景的叠层太阳电池的底电池吸收层材料。但薄膜中锗的增加，使......
