渐变带隙相关论文
由于具有较高的折射率、独特的光学和电学特性、大的长径比以及极低的表面粗糙度,化学合成的半导体纳米线可作为纳米光子学回路的......
Cd_（1-x）Zn_xTe是直接带隙半导体材料,其禁带宽度随x值的变化在1.45eV～2.26eV间连续可调。将具有渐变带隙结构的材料作为太阳电池的光......
进入21世纪以来,全球能源问题日益突出。太阳能具有清洁、高效的特点,堪称最好的绿色能源选择。非晶硅锗（a-SiGe:H）材料作为一种硅基......
现如今,电力系统中的主要光伏电源是晶体硅太阳电池。由于晶体硅太阳电池在继续提高转换效率和降低成本方面都遇到了困难,这使其上......
利用Matlab软件计算了基于本征吸收的非晶硅薄膜的光谱响应,仿真出由多个不同带隙的薄膜组成的非晶硅薄膜的光谱响应,仿真了薄膜厚......
在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上,研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点,采用AMPS软件结合相关试验参数对ⅢⅤ......
随着薄膜技术的进步和微纳制造技术的发展,可把薄膜技术、微纳制造技术与硅基太阳能电池结合,形成新型微纳结构的硅基薄膜太阳能电......
高效三结GaAs太阳电池,是一种Ⅲ-V族化合物半导体光电转换器件。与目前广泛使用的硅太阳电池相比,具有更高的光电转换效率、更强的......
利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:......
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