忆容器相关论文
自2008年惠普实验室制造出TiO2薄膜型实物忆阻器件之后,忆阻、忆容和忆感开始广泛走进人们的视线,基于记忆元件的神经网络系统的研......
忆感器和忆容器是继忆阻器之后的新型非线性器件,其基本特征是具有记忆特性,无需外部激励就可存储信息。在许多领域,包括非易失性......
随着神经形态计算的兴起,具有记忆/学习功能和信号处理的记忆元件的开发对于构造人工神经网络电路至关重要。目前,记忆元件结构设......
忆阻器作为和电阻、电感、电容并列的第四种基本电路元件，建立了磁通和电荷之间的关系。自惠普实验室2008年宣布发现忆阻器以来，引起......
忆容器是一种新型的具有记忆特性的非线性电容。2008年惠普实验室在研究纳米级TiO2薄膜时，发现了除电阻、电容和电感之外的第四种电......
人工智能的快速发展需要人工智能专用硬件的快速发展,受人脑存算一体、并行处理启发而构建的包含突触与神经元的神经形态计算架构,......
针对忆容器在数据读写与存储方面可能会更少丢失数据的优势，介绍了一种忆容器的数学模型，为便于对该忆容器的研究，根据其数学模型，搭建......
随着信息技术快速提升，信息化与全球化迅猛推进，人类大步跨入了知识经济新时代。本文简介了纳米记忆元件发展概况，探讨了其突破芯片技......
分析了忆阻器与忆容器之间的关系,提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型.用Pspice软件对该模型进行了仿真实验,发现该模型中忆......
忆容器是一种具有记忆性的非线性电容,为研究忆容器的电路特性,提出了一种压控型忆容器的二次曲线模型,利用电流反馈型运放等器件......
直接从荷控忆容器的数学模型出发,首先采用通用有源电路芯片设计了忆容器＂浮地＂电路模拟器,之后结合Matlab和Multisim混合仿真的方法......
利用4个相同忆容器构建一个能实现零、正和负突触权重的忆容桥电路。在附加3个晶体三极管后，忆容桥权重电路能够实现神经细胞的突触......
纳米尺度的忆阻器、忆容器和忆感器是一类新型电路元件,它们无需内部电源即可存储信息,在非易失存储器、人工神经网络、数字逻辑电......
忆阻器、忆容器和忆感器作为三种新型的记忆器件,延伸了经典的电子电路基本理论。由于记忆器件其特有的“记忆”特性,其潜在价值引......
该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破。为我国紧密......
该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗（VCF......
自1971年Chua提出忆阻器的概念后,直到2008年HP实验室才首次使用纳米级的TiO2薄膜成功制作出忆阻器的物理模型,证明了忆阻器是真正......
基于有源器件设计了一种新的悬浮型二端口忆容器的等效模拟电路。分别采用方波和正弦波作为激励信号,验证了忆容器等效电路的磁滞......
忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电......
