忆阻突触相关论文
人工神经网络（ANN）技术的快速发展使智能化社会的实现逐渐成为可能,然而,基于CMOS器件的ANN距离生物大脑还有不小差距。与CMOS器件相......
现如今,随着人工智能、类脑计算等信息技术的发展以及物联网、通信网等基础设施的建设,这些新兴产业给人们生产生活带来便利的同时......
神经元是神经系统中最基本的构成与功能单元,是神经科学的研究基础。由于模型简单,放电行为丰富,Morris-Lecar神经元模型一经提出......
阻变式随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器(NVM),它通过电阻的变化来记录存储的数据信息。与传统的存储器相比,忆阻器有着简单......
忆阻器是一种具有记忆性的新型电路元件,在阻变存储、逻辑运算以及细胞突触等方向具有广阔的应用前景。本文以忆阻突触为基础,围绕......
鉴于忆阻器件的优良特性,如纳米级尺寸、非易失性、阻值可变等,有关它的研究不断增加,已有多种单个或多个忆阻器结构与先进的CMOS......
1971年,蔡少棠教授提出了忆阻的概念,由于当时半导体技术不够成熟,直到2008年惠普公司才制作出来第一个纳米级尺寸的忆阻实物。忆......
