抗光损伤能力相关论文
从理论上来讲，所有的光折变材料都可以写入折射率相位光栅，都可用来制作三维体全息存储器。但从商业应用的角度考虑，目前铌酸锂(LiNb0......
光学体全息数据存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点，在现代信息存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的......
以稀土离子为发光中心的从近红外到可见波段的频率上转换荧光具有广阔的应用前景和极大的发展潜力，促使探索高效上转换发光的新机制......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以Czochralski法生长Zn( 6mol% ) :LiNbO3,Li/Nb =0 .94 ,0 .97,1,1.0 2。测试晶体的光损伤阈值。采用质子交换法制作高掺锌富锂铌......
期刊
为了提高晶体的响应速度和抗光散射能力,利用光致双折射和二波耦合实验,系统地研究了488 nm波长下Hf4+掺杂浓度为阈值摩尔分数4.0%......
摘要：采用单晶提拉法生长了不同Zn2+（1，3，5，7 mol%）离子浓度的Zn：Ce：Cu：LiNbO3单晶，为了研究Zn2+离子浓度对Zn：Ce：Cu：LiNbO3单晶缺陷结构的影响，......
采用提拉法生长了不同Li/Nb（Li/Nb=0.94,1.05,1.20 and 1.38）的Mg∶ Ho∶LiNbO3单晶.测试了Mg∶ Ho∶LiNbO3晶体的双折射梯度和抗光......
摘 要：通过单晶提拉法生长了一系列不同Hf4+（2， 4， 6， 8mol%）离子浓度的Hf：Ce：Fe：LiNbO3晶体。为了研究不同Hf4+离子掺杂浓度对Hf：Ce：Fe：LiNbO3......
本研究采用提拉法生长出Mg: Ho: LiNbO3、In: Ho: LiNbO3及Hf: Ho: LiNbO3三个系列晶体材料,讨论了晶体生长的工艺参数（温度梯度、......
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比（0.94、1.20、1.40）Ce：Fe：LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40......
在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。......
