抗光损伤能力相关论文
采用提拉法生长出具有不同Li/Nb值的Zn:Fe:LiNbO晶体.它们的紫外-可见吸收光谱的测试结果表明,随着Li/Nb比的增大,吸收光谱的吸收......
铌酸锂晶体广泛应用于集成光学和非线性光子学等领域[1]。然而，光折变效应限制了铌酸锂晶体在光参量振荡、倍频转换等方面的应......
采用提拉法生长了不同Sc掺杂的Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体,通过紫外-可见光谱测试分析了Sc:Mn:Fe:LiNbO_3晶体的缺陷结构,利用光斑畸变......
采用提拉法生长了掺质量分数分别为0.01%,0.05%和0.10%Fe2O3的近化学计量比掺铁铌酸锂晶体(near stochiometric Fe:LiNbO3,Fe:NSLN......
在LiNbO中掺进InO和ZnO生长In:Zn:LiNbO晶体，以苯甲酸质子交换法制做光波导基片，采用m线法研究In:Zn:LiNbO晶体波导基片的光损伤。In......
从理论上来讲，所有的光折变材料都可以写入折射率相位光栅，都可用来制作三维体全息存储器。但从商业应用的角度考虑，目前铌酸锂(LiNb0......
光学体全息数据存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点，在现代信息存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的......
以稀土离子为发光中心的从近红外到可见波段的频率上转换荧光具有广阔的应用前景和极大的发展潜力，促使探索高效上转换发光的新机制......
以Czochralski法生长Zn( 6mol% ) :LiNbO3,Li/Nb =0 .94 ,0 .97,1,1.0 2。测试晶体的光损伤阈值。采用质子交换法制作高掺锌富锂铌......
期刊
以Czochralski法生长Zn(6mol%)：LiNbO3,Li/Nb=0.94,0.97,1,1.02。测试晶体的光损伤阈值。采用质子交换法制作高掺锌富锂铌酸锂晶体......
为了提高晶体的响应速度和抗光散射能力,利用光致双折射和二波耦合实验,系统地研究了488 nm波长下Hf4+掺杂浓度为阈值摩尔分数4.0%......
在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)熔体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体。通......
分别在Ce:Mn:LiNbO3中掺入浓度为3 mol%和7 mol%的ZnO,采用Czochralski方法生长的Zn:Ce:Mn:LiNbO3晶体,测量其抗光损伤能力、指数......
摘要：采用单晶提拉法生长了不同Zn2+（1，3，5，7 mol%）离子浓度的Zn：Ce：Cu：LiNbO3单晶，为了研究Zn2+离子浓度对Zn：Ce：Cu：LiNbO3单晶缺陷结构的影响，......
采用提拉法生长了不同Li/Nb（Li/Nb=0.94,1.05,1.20 and 1.38）的Mg∶ Ho∶LiNbO3单晶.测试了Mg∶ Ho∶LiNbO3晶体的双折射梯度和抗光......
摘 要：通过单晶提拉法生长了一系列不同Hf4+（2， 4， 6， 8mol%）离子浓度的Hf：Ce：Fe：LiNbO3晶体。为了研究不同Hf4+离子掺杂浓度对Hf：Ce：Fe：LiNbO3......
本研究采用提拉法生长出Mg: Ho: LiNbO3、In: Ho: LiNbO3及Hf: Ho: LiNbO3三个系列晶体材料,讨论了晶体生长的工艺参数（温度梯度、......
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比（0.94、1.20、1.40）Ce：Fe：LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40......
在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。......
