光折变性能相关论文
光学体全息存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点,在现代存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的发展前......
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光学体全息存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点，在现代存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的发展前景......
开发具有高性能光电子和全光响应的纳米光子器件是未来光电子和光集成的核心。光子晶体是一种折射率周期性变化的材料，光子带隙性能......
光折变材料以其在光信息处理领域广阔的应用前景而倍受关注,有机-无机复合光折变材料因为在提高材料机械性能等方面有着明显的优势......
本研究采用助熔剂法生长出无宏观缺陷、光学均匀性较好的掺锰近化学计量比铌酸锂晶体。探索出生长化学计量比铌酸锂晶体合适的......
本文采用提拉法生长出了无宏观缺陷、光学均匀性较好的变掺镁量的双掺镁锰铌酸锂晶体，探索出生长同成分铌酸锂晶体合适的工艺参数（温......
本文设计合成了五种含咔唑基团的磷腈光折变聚合物及八种含咔唑或三苯胺基团的光折变小分子玻璃。用NMR、IR、UV-vis、GPC、DSC、T......
光折变星形聚合物一般是指将含有光折变效应所需要的不同组分的线形聚合物通过化学键的方式键接在同一个核上所形成的一类支化聚合......
针对LN晶体作为声表面波压电材料温度系数高和作为光折变材料二波耦合增益系数低等不足，对其进行了掺杂改性和扩散改性，并对其切型与......
光折变晶体因具有优良的电光性能而被广泛地应用于光电子技术领域。改善和提高晶体材料的光折变性能有利于提高其潜在的应用价值。......
铌酸锂晶体作为最典型的光折变材料之一在光电领域有着广泛的应用。通常对铌酸锂晶体改性的途径主要有离子掺杂，氧化还原处理，生长近......
铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种优良的多功能晶体材料,具有良好的压电性能、非线性光学性能、电光及光折变性能等.目前国内外铌酸锂单晶......
在Fe :LiNbO3中掺进Pr6O11生长Pr :Fe :LiNbO3晶体。对晶体进行氧化 还原处理。测试晶体的指数增益系数、衍射效率、响应时间、光......
在Fe：LN晶体中掺进不同质量分数（0．08％、0．12％、0．16％）的CuO以提拉法生长Cu：Fe：LN晶体，对晶体进行极化，还原或氧化处理后，对晶体的抗光致散射能力......
采用顶部籽晶溶液法（TSSG），生长直径约10-15mm，长度为10mm的近化学计量比掺铁铌酸锂（Fe：SLN）和近化学计量比掺铁钽酸锂（Fe：SLT）晶体．采用二波......
为了提高晶体的响应速度和抗光散射能力,利用光致双折射和二波耦合实验,系统地研究了488 nm波长下Hf4+掺杂浓度为阈值摩尔分数4.0%......
生长了Zn：Fe：LiNbO3晶体，测试了晶体的光折变性能，并且对晶体进行了正反向极化工艺处理技术，有效地提高了Zn：Fe：LiNb03晶体的光折变性能，使......
在铌酸钾锂（potassium lithium niobate,KLN）中掺入CuO和MnCO3,以提拉法首次生长了Cu：Mn：KLN晶体。用X射线衍射测试并计算了晶体的晶格......
在LiNbO3中掺进CeO2,MnCO3生长Ce:LiNbO3和Ce:Mn:LiNbO3晶体,晶体被极化和还原处理.X射线衍射仪测试晶体的晶格常数,采用UV-Spectr......
采用提拉法生长4种不同[Li]／[Nb]比（0．94，1．05，1．20，1．38）的Ce（0．1％（质量分数））：Mn（0．05％（质量分数））：LiNb03晶体和掺镁量为5％（摩尔分数）的Mg：Ce（0．1％）：Mn（0．015％）：LiNbO3......
以K2O作为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法生长近化学计量比Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体的紫外-可见吸收光谱、红外光谱、抗光损伤......
为了得到光折变性能优良的晶体材料,在LiNbO3中掺进CeO2和Eu2O3,生长Ce:LiNbO3和Ce:Eu:LiNbO3单晶体,对晶体进行极化和氧化还原处......
在氧化锂（Li2O）摩尔分数（下同）为48.6%～58%的LiNbO3中掺入0.1%的氧化铈（CeO2）和质量分数为0.03%的氧化铁（Fe2O3）,用提拉法技术生长出高光学......
同成分LiNbO3(LN)溶体中掺进摩尔分数为2%的ZrO2和质量分数为0.03%的Fe2O3,从不同Li/Nb摩尔比(0.94,1.05,1.20,1.38,0.85)熔体中用......
掺入摩尔分数为1％MgO，0．5%SC2O3和质量分数为0．03％Fe2O3，从Li与Nb摩尔比分别为0．85，0．94，1,05，1．20和1．38的熔体中用提拉法生长Mg：Sc：Fe：LiNbO3 （Mg：S......
本文根据晶体生长理论并通过大量实验摸索,对掺杂铌酸锂晶体的生长工艺参数进行了详细地探索和优化,获得了一套较为成熟的晶体生长......
光折变材料在光信息处理和数据存储等方面具有广阔的应用前景,引起人们极大的兴趣;有机聚合物光折变材料成为当今光折变材料研究的......
采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的Sc:Fe:LiNbO3晶体和Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体。摸索出生长高掺杂和不同锂铌比的掺杂铌酸......
在铌酸钾锂(KLN)中掺进CeO2和MnCO3,采用Czchralski法首次生长Ce:Mn:KLN晶体,测试晶体的晶格常数,Ce:Mn:KLN晶体的晶格常数变小.测......
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt%CeO2和0.03wt%Fe2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比（0.94、1.20、1.40）Ce：Fe：LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40......
在铌酸锂（LiNbO3，LN）中掺入摩尔分数为0．1％的CeO2，以提拉法从不同[Li]／[Nb]摩尔比（[Li]／[Nb]=0．750，0．850，0．946，1．100）的熔体中生长出了Ce：LN晶体。......
在氧化锂(Li2O)摩尔分数(下同)为48.6%～58%的LiNbO3中掺入0.1%的氧化铈(CeO2)和质量分数为0.03%的氧化铁(Fe2O3),用提拉法技术生长......
光学体全息存储技术因具有存储密度高、存储容量大、存取速度快等优点备受瞩目,而体全息存储技术的实用化取决于存储材料的性能。L......
Fe:LiNbO3晶体由于具有较高的衍射效率和灵敏度而成为最重要的全息存储材料之一。然而,Fe:LiNbO3晶体仍然存在两点不足之处,即响应......
光学体全息存储器以其存储容量大、数据传输速率高、信息寻址速度快等优点,在现代存储技术竞争中显示出巨大的优势和良好的发展前......
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本文采用助熔剂提拉法生长了无宏观缺陷、光学均匀性较好的单掺铜（Cu:LiNbO3）和铜铁双掺（Cu:Fe:LiNbO3）近化学计量比铌酸锂晶体。并总......
本文采用提拉法,在铌酸锂中掺杂Sc3+、Mn3+和Fe3+离子,首次系统的生长了无宏观缺陷、光学性能好的系列Sc:Mn:Fe:LiNbO3晶体。在晶......
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本文采用提拉法,首次生长了Mg含量变化的Mg:Ce:Fe:LiNbO3晶体,根据晶体生长理论,改善掺杂LiNbO3晶体的生长工艺参数（温度梯度、晶体......
本文采用提拉法生长出了无宏观缺陷、光学均匀性较好的变掺镁量的双掺镁锰铌酸锂晶体,探索出生长同成分铌酸锂晶体合适的工艺参数（......
采用提拉法生长出无宏观缺陷、光学均匀性好的不同掺杂量的双掺锰镁同成分铌酸锂（Mn:Mg:LiNbO3）单晶体,研究总结出了最佳生长工艺参......
采用提拉法系统生长了六种不同[Li]/[Nb]比(0.750,0.850,0.946,1.100,1.250,1.380)的掺铈铌酸锂(Ce:LiNbO3)晶体,其中Ce的掺杂摩尔......
