本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术。建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层、２．５微米本征外延层、双阱、基区、多晶硅发射区、深......