BiCMOS工艺相关论文
采用0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作在32～38 GHz的Ka波段有源移相器,采用矢量合成的方法实现移相功能.该移相器电路包括......
单片式开关电源管理集成电路是国际最新技术进展，它具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标、能构成高效率电源等优点......
该论文研究的课题是我们小组863项目中的一部分,针对最近国际上发展起来的新的电源管理电路,自行设计了一种采用PSM,即跳周期工作......
该文主要研究电流型PWM控制器芯片的设计问题,目前国内的开关电源控制器正从电压型控制过渡到电流型控制,电流型控制技术可以在逐......
随着电子技术的发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多,而电源是电子设备的重要组成部分,其性能的好坏直接......
红外遥控接收芯片广泛地应用在日常生活的各个方面,例如电视机,空调,DVD等家用电器以及车载电子产品上。广泛的市场应用决定了巨大......
提出了一种实用的高压BiCMOS工艺.该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及......
基于IHP锗硅BiCMOS工艺,研究和实现了两种220 GHz低噪声放大器电路,并将其应用于220 GHz太赫兹无线高速通信收发机电路.一种是220G......
介绍了基于0.35μm BiCMOS工艺的8位高速A/D转换器,采用独特的折叠和内插结构,在大大降低成本、功耗的同时,既能保证超高转换速率,......
Motorola公司(位于阿里桑那州的Phoenix)的半导体事业部,最近完成了对其0.35 μ m RF BiCMOS工艺,包括硅锗:碳(SiGe:C)技术,以及一......
文章主要介绍了一个利用TSMC 0．25μm RF BiCMOS工艺实现的预置数分频器（Plmscaler）。其中，采用了特殊的D触发器和组合逻辑门结构，改进......
提出一种适用于红外焦平面阵列传感器的高精度BiCMOS电压基准和电流基准设计方案。该方案采用新型电压基准输出级降低Brokaw带隙基......
设计了一种采用BiCMOS工艺的高精度能隙基准电压电路,该基准电压源主要用于线性稳压器.在CSMC 0.6um工艺条件下,使用CADAENCE SPEC......
随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展，对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起，不断满......
给出一种用于荧光灯电子镇流器的智能化电源管理集成电路的设计.其独特的电路结构设计使该电路芯片可在低电源电压下工作,从而可利......
介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源，其输出电压为1．2V，在-40℃～80℃范围内有较好的温度特性，温度漂移......
电压基准电路是目前广泛应用于直流电源变换器和数模/模数转换器件设计的一种电路单元.本文从基本工作原理出发,结合实际应用与理......
设计了一种工作在860—960MHz频段内，用于UHFRFID阅读器的单芯片射频功率放大器（PA）．概述了PA适用的UHFRFID通信标准和采用的0．18斗mSiG......
MIC5841/5842是MICREL公司采用BiCMOS工艺技术生产的可驱动多种外围功率应用系统的完整8位串行输入驱动器集成电路.它内含8-bit CM......
在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上，文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围，摆脱了电源电压对......
半导体厂商多年以来一直孜孜不倦地研制CMOS射频器件，CMOS手机射频收发器的开发、生产就是典型案例。目前，有多家国内外厂商都已经开......
采用Jazz 0．35tanSiGe BiCMOS工艺设计实现了应用于10Gb／s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成，两者......
基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了共基极和共发共基两种输入结构的前置放大器.为获得更宽的电路带宽,共基极电路采用了电容峰化......
基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分......
在无线通信发展的过程当中,射频功率放大器一直是收发链路的重要组成部分之一,特别是在5G,物联网等新一代无线通信概念下对于射频......
SiGe半导体公司顾名思义．这是一家以第四主族元素BiCMOS工艺见长的供应商。SiGe不断开发硅锗、无源芯片和芯片级模块方面的先进技术......
文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构，并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求，开发了基......
随着射频电路工作频率的不断升高,ESD已经成为了影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素。针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD......
随着信息时代的不断发展,数字信号处理越来越成为热门的研究领域,而模数转换器(Analog-to-Digital Converts,ADC)作为模拟世界与数......
学位
介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果.该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0 V,转换速率≥......
基于非选择性外延，自对准注入技术，集电区选择性注入和快速热退火工艺，提出了一种适用于1．5μmBiCMOS集成技术的SiGeHBT器件结构。该结......
采用0．5um BiCMOS工艺设计了一种用于电源检测的上电复住电路。本文通过对比传统的上电复位电路，提出了一种结构新颖简单，性能可靠稳......
1概述0932是静止式电子电度表专用大规模集成电路，采用硅栅BiCMOS工艺，电路先进，具有双向计量有功电能的功能，性能优越，安全可靠，电路采......
Si Ge（硅锗合金）Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体......
随着电子信息产业的飞速发展和对节能要求的不断提高,现代开关电源的应用日益广泛,发展迅速。开关电源技术结合了开关变换器理论、......
T/R组件是相控阵雷达的重要组成部分,主要包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)、衰减器、射频开关以及移相器等模块。移相器作......
科学技术的不断发展,为温度传感器性能优化提供了重要的技术支持,扩大了其实际的应用范围。为了获得可靠的无源RFID标签温度传感器......
给出了一个采用1.2μm BiCMOS工艺设计的检测RS-232电平是否有效的电路.电路由施密特触发器、或非门单元以及经过改进设计的能够实......
采用0.18μm BiCMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声、宽带宽以及大输入动态范围的光接收机跨阻前置放大器。在寄生电容为250f......
设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13μm SiGe BiCMOS工......
器件模型是连接工艺生产与电路设计的桥梁,是电路设计十分关键的环节。LDMOS等功率器件具有开关速度快、热稳定性好等优点,其工艺......
白光LED作为小型彩色LCD背光照明的最佳选择,已经广泛应用于手机、数码相机、MP3等大多数便携式电子产品领域。近年来,手机不断更......
随着电源技术不断向高频化、集成化发展,高频开关电源更是电源技术领域的新课题,因此新型的开关电源控制芯片也就成为研究的重点。......
随着无线通信产业的高速发展,器件特征尺寸不断减小,锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)最高特征频率已达到375GHz。与Ⅲ-Ⅴ族器件相......
