施主缺陷相关论文
ZnO作为一种直接宽带隙半导体化合物材料，在室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，在蓝／紫外发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）以及......
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学......
硫钝化对GaAs FET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAs MESFET饱和源漏电流(IDSS)下降的原因,认为硫处理降低了Nd和Nd/N......
