旋涡缺陷相关论文
目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始......
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的......
在模拟器件工艺用“OS”法检测CZ硅单晶中旋涡缺陷时,常有雾状缺陷的干扰。本文对雾状缺陷的分布形态及产生原因作了初步研究。为......
微缺陷,又有人称为旋涡缺陷,主要是指蚀坑呈旋涡分布的微缺陷。现已知道,旋涡缺陷只不过是微缺陷的一种。呈旋涡分布的缺陷并非都......
半导体材料硅中存在的原生晶体缺陷(如位错、层错、旋涡缺陷)及半导体硅器件加工工艺过程中的诱生晶体缺陷(如外延层错、热氧化杆......
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区......
随着LSI电路的发展,不仅对硅单晶材料质量提出较高的要求,而且对器件工艺中诱生的“二次”缺陷也愈来愈引起人们的重视.“二次”......
硅中的碳近几年越来越引起人们的重视,它对晶体的完整性和对器件特性的影响已被人们逐渐认识。因此在硅单晶的工业生产上如何更有......
进一步研究了提高硅单晶的质量,取得了良好的结果。采用减压拉晶工艺,研究炉室内气体运动状态,调节氩气流量,及时有效地排除反应产......
研究了P型、直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(......
硅的微缺陷控制 1.硅晶体生长过程中微缺陷的消除 如本文第一部分所述,为了制作超大规模集成电路,必须进一步提高电路芯片的成品......
前言 由于集成电路技术的发展,使256K位超大规模集成电路存储器的研制工作获得了成功,但器件微细化、高集成化目前正由于其中心技......
一、前言 电子工业的发展正给整个工业体系带来革命性的变化。作为电子工业发展的主要代表是LSI和VLSI。它在小型化、轻量化、低......
一、引言自1948年第一只 Ge 晶体管问世以来,半导体材料正式登上了电子工业的历史舞台。但是,Si 以它独到的特性,很快在半导体材......
集成电路是目前发展最快的领域,对今后科学技术的发展起着重要的作用。当前集成电路是用硅片制成的,因此硅的质量是研究的重大课......
半导体硅片的抛光是半导体器件生产中的一道重要工序.二氧化硅无纺布衬垫抛光是替代铬离子长毛绒抛光的有效途径,其优点是:抛光片......
一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3[111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于......
一、引言硅单晶的热处理工艺在我国已开始受到重视,并开展了这方面的研究工作。在国外,热处理工艺已经是许多半导体硅生产厂家的......
自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四......
深能级瞬态谱(DLTS)是一种研究半导体深能级、界面态、非晶态、检测分析微量深能级杂质和缺陷的重要技术.本文利用DLIS技术,对器件......
经过化学—机械抛光后 ,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片 ,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分......
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致......
