器件制作相关论文
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅......
采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为:ITO/m-MTDATA(50nm)/LiF(xnm)/NPB(10nm)/Alq(5nm)/C545T(0.05nm)......
随着集成电路日新月异地发展,传统的基于电子通信传输的电互连技术,由于其与生俱来的局限性(特别是RC电阻电容延迟效应的限制),严......
三维光存储是数据存储领域一个重要的研究方向,本文研究了一种基于波导多层存储原理的波导多层光卡的相关理论和技术问题。通过对......
TKS45F323是日本NEC Talkin生产的具有真空三极管特性的半导体SIT,本文介绍的是一款注重音质的、采用类似真空管放大电路的音频功......
CZ硅晶片中的旋涡缺陷在器件制造的热循环过程中 ,会转化成体内杆状层错 ,且易集结在发射结对应下方的基区和集电结附近 ,从而导致......
有机电致发光显示器被认为是最有发展潜力的新一代的显示器件，近年来一些新方法、新技术和新材料的出现大大改进了OLED的制作工艺，提......
碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)由于其更低的导通电阻、更高的反向耐压、更快的开关速度,使得其在电力电子领......
为了探索声表面波器件制作工艺，在压电器件工作原理的基础上，通过设计声表面波器件的工作频率、叉指宽度、间隙及对数等器件参数，绘制......
碳化硅（SiC）优良的材料特性,使其十分适用于制作大功率高速的开关器件,例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研......
发光二极管(LED)作为通用照明产品得到了广泛的应用。微米尺寸LED(即MicroLED通常小于100μm)作为显示技术的核心元器件,具有亮度......
随着核科学技术和核物理实验的研究日趋深入,核科学技术研究和公共安全都对核辐射探测技术提出了更高的要求,核辐射探测器在生活中......
光衰减器,是一种旨在降低波导中传输的光功率的器件,可以按照用户的要求将光信号能量进行预期地衰减,它是随着光通信事业发展出现......
