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暗电流特性相关论文
MOVCD生长GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的暗电流特性
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
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暗电流特性
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