暗电流相关论文
昆明物理研究所多年来持续开展了Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究，突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、......
期刊
基于InGaAs/InP雪崩光电二极管，讨论吸收层厚度和少子寿命以及倍增层厚度和少子寿命对暗电流的影响。研究表明，吸收层厚度影响热产生......
碲镉汞材料为窄禁带半导体，随着工作温度的升高，材料本征载流子浓度会增加，探测器截止波长会变短，暗电流增加等，会导致器件性能降低。碲......
研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动......
电荷耦合器件（CCD）作为重要的图像传感器已广泛应用于各种光电成像探测系统中,随着各种应用的不断深入,对图像传感器CCD的性能参数提......
X射线探测器在医疗影像、工业探伤和安全检查等领域拥有广泛的应用。近年来,金属卤素钙钛矿材料因其X射线吸收能力强、灵敏度高、......
基于单光子雪崩光电二极管（Single Photon Avalanche Photodiode,SPAD）的近红外单光子探测技术,逐步向着结构更简单、检测更高效的方......
围绕新一代遥感探测仪器应用需求,中国科学院上海技术物理研究所在短波红外InGaAs焦平面探测器领域取得了一系列进展.通过低缺陷外......
器件自身存在的暗电流,会导致CMOS成像式亮度计的亮度测量结果产生误差.因此,提出一种CMOS成像式亮度计的暗电流校准方法.通过分析......
近十年来,二维材料由于其独特的物性优势,如原子级厚度（电子态易于调控）、层间范德瓦尔斯力（异质结界面无晶格失配）和丰富的电子能带（覆......
科技发展的本质是人类不断探索和认识世界的过程。红外天文探测器是人类探索外太空世界的有力工具,其重要性不言而喻。阻挡杂质带（B......
碲镉汞（HgCdTe,MCT）材料具有带隙可调、高量子效率等诸多优点,是红外光电探测器制备的主流材料。高背景环境下,MCT红外探测器的背景......
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够......
硅基QPD探测器在实际生活中具有广泛的应用,是激光制导、激光准直、激光光斑探测系统的重要组成部分,激光辐照致使其处于失灵状态......
色坐标、亮度是评估发光LED产品光参数质量的两项重要参数。传统的色坐标、亮度测量方法采用色谱仪、亮度计,这类方法操作耗时费力......
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器（APD）是应......
在过去三十年间,基于有机光电二极管架构的有机光电探测器(OPD)得到了长足的发展,用OPD代替无机光电二极管阵列有望获得更低成本、......
对As2和As4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行......
:本文基于漂移扩散模型,对硅基错PIN 红外探测器的电流特性随应变、Ge 吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了......
A two-dimensional model of a metal-semiconductor-metal (MSM) ZnO-based photodetector (PD) is developed. The PD is based ......
在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP......
针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室......
针对碲镉汞红外焦平面需要在恒定低温条件下工作的要求，设计并实现了基于热电制冷技术的红外焦平面 温控系统。该温控系统具有体积......
近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接......
实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,......
在这起消费者状告丰田的官司背后，不仅仅是一则纠纷，而是关乎消费者知情权的一次抗争。 2013年末，一桩车主状告丰田的官司因并不起......
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
采用有限元分析方法对制冷封装CCD工作在低温时光窗外表面温度过低产生露珠的现象进行了研究,分析了光窗与芯片表面(冷端)不同距离......
设计了一种红外开关式液位监测系统，该系统结构简单，无任何可动部件，测量部分与待测液体介质完全不接触，造价低廉，通用性强，可与一些老系......
为了抑制电子倍增CCD的表面暗电流,运用Shockley-Read-Hall理论解释了表面暗电流的产生过程,通过曲线拟合建立了表面暗电流的理论......
InGaAs光敏元的暗电流是衡量探测器材料性能的一个重要指标。对于2.4μm延伸波长InGaAs,它的暗电流比1.7μm的要大2~3个数量级。文......
重点讨论了像元尺寸为11μm×11μm的4096×4096元可见光CCD全帧转移结构和技术性能参数的设计,采用CCD埋沟工艺和辐射加固技术,研......
采用射频磁控溅射,通过传统的紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备了不同电极间距的金属-半导体-金属(MSM)结构Mg0.2Zn0.8O可见盲光电探......
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应......
暗电流在科学级电荷耦合器件(CCD)长时间曝光测试实验中是主要的噪声之一。实验测试了暗电流信号平均计数随曝光时间的变化关系,并......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
为了适应紫外探测技术的迅速发展,满足对紫外光源和紫外探测器校准的需求,建立了紫外-真空紫外光谱辐照度校准装置。装置由标准光......
InGaAs PIN光电探测器在空间遥感、卫星通讯等方面有着广泛的应用。利用358K恒温加速老化实验研究探测器长时间稳定工作时输出电信......
为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD。该器件的存储区采用漏斗形......
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7......
