得益于GaN材料的宽带隙、高饱和速度和高击穿电压等特性,GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）在高温......

AlGaN/GaN界面处的二维电子气迁移率是描述高电子迁移率晶体管特性的一个重要参数,极化光学声子散射是高温时限制二维电子气迁移率......