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钇改性PZT薄膜的极化印刻研究
铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(12......
期刊
铁电薄膜
Y-PZT薄膜
极化印刻
铁电电容
存储器
材料
钇
改性
掺杂
ferroelectric thin films Y-dopped PZT(40/6
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