栅击穿相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

栅击穿相关论文

IGBT及其子器件的几种失效模式

本文通过案例和实验，概述了叫种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT—MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损......

期刊

栅击穿阈值电压漂移积累损伤硅熔融 gate breakdown threshold voltage shift cumulative damage sil

一种基于BCD工艺的TFT-LCD行驱动电路的设计

基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高......

期刊

集成电路设计行扫描电路 TFT-LCD屏电平转换电路 BCD工艺栅击穿

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