阈值电压漂移相关论文
碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）作为第三代宽禁带半导体器件......
学位
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的栅极可靠性考核是一项重要的可靠性测试项目,然而现行测试表征均是针对硅（Si）器......
报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果.在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界......
期刊
提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚......
MOS结构电子器件作为集成电路的关键元素,电离辐射会在其绝缘体氧化层中引起明显的电荷积累。研究表明,在氧化层中俘获空穴形成的......
研究了保护层对背沟道刻蚀型IGZOTFT性能及其稳定性的影响.结果显示,在正电压应力下TFT的阈值电压正向漂移.通过数据分析得知,保护......
研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同......
介绍了一种采用非晶硅薄膜晶体管制作的14.1英寸WXGA(1280×RGB×800)液晶显示器栅极驱动电路.该栅极驱动电路的主要特点是电路中......
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI......
对金属-氧化物-半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MO......
a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现......
This article is about the absorbed-dose-dependent threshold voltage shift of the MOSFET transistors.Performance of the M......
以重掺杂Si片为衬底,SiO_2为栅绝缘层,并五苯为有源层,制备了有机场效应晶体管（OFETs）,研究了空气中水汽对场效应性能的影响。实验表......
本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度(L)和宽长比(W/L)的敏感管,并给出样品的直流参数的测试结果.......
为了研发可用于核与辐射应急响应与准备的机器人,对比了多种具有不同结构和生产工艺的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于......
通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系,建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应......
以聚3己基噻吩（P3HT）为有机层、价格低廉的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为绝缘层制备了底栅顶接触型结构的有机薄膜晶体管（OTFT）。采崩一种新......
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺，研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS......
推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取......
随着信息显示技术的发展,当前主流的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)技术越来越无法满足高端液晶显示面板的高分辨率、窄边框、低功耗......
随着空间技术和集成电路技术的快速发展,半导体器件和集成电路的辐照损伤受到愈来愈多的关注。其中,金属氧化物半导体(Metal-Oxide......
该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并......
利用"强光一号"加速器对部分CMOS器件开展了脉冲总剂量时间关联的辐射效应实验,研究了脉冲辐照后阈值电压漂移与时间的关联响应,以......
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SiC MOSFET凭借其优异的电热特性,正逐渐投入市场,长期运行其可靠性成为关注的重点,功率循环试验是考核器件可靠性最重要的老化试......
本文通过案例和实验，概述了叫种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT—MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损......
在多种多样的功率器件中,Trench MOSFET(一种新型垂直结构器件)是一种拥有低导通电阻、低栅漏电荷密度、以及低开关损耗的高速开关......
半导体分立器件作为现代电子系统的核心元件，越来越广泛的被应用到民用以及军用产品中。如嫦娥工程中DC/DC电源变换器、通信接收机......
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移......
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电......
分析了4种典型的电流型AM OLED像素驱动电路的工作原理,从中总结出了补偿阈值电压漂移的方法——自动调节存储电容的电压以保证电......
在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一......
摘要：本论文以底栅型非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)器件为基础,对a-Si TFT模型进行研究。将a-Si材料场效应迁移率小于1cm2/V·s作为限......
学位
本文详细地综述了自然空间环境中总剂量电离辐照引起的MOS器件性能衰降;MOS介质经受电离辐射期间产生的界面和氧化物电荷使得大量......
对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比......
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件......
通过对NMOS和PMOS场效应晶体管在60Coγ射线下的辐照实验,研究辐照对不同宽长比(W/L)及不同偏置电压下的MOS管的阈值电压及其转移......
本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transisto......
为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各......
近年来,有机电子学和有机电子器件在众多应用领域取得了长足的进展。有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机太阳能电池、光化学......
氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide Semiconductor Thin Film Transistor,AOS TFT)因具有良好的电学特性和光学特性,在学术界、工业界......
近年来,伴随着有机半导体材料的发展,有机电子器件已成为人们广泛研究的热点。有机发光二极管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管......
与传统体硅相比,SOI材料集成度高、抗辐照能力强、功耗低,速度快、适用于小尺寸器件,能够克服体硅材料的不足,最大程度的发挥硅集......
纳米级工艺的栅氧化层厚度仍在继续缩小，但是由于功率MOS器件的广泛应用，超厚栅氧化层工艺仍有其研究的价值。功率VDMOS因为其优良的......
随着MOSFET器件尺寸的进一步缩小,由于沟道长度的缩短而引起的短沟道效应对器件的影响随之增加,抑制器件短沟道效应从而提高器件性......
分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的......
有机场效应晶体管（OFET）是有机电子学的主要研究方向之一，其在柔性集成电路、透明显示器件领域具有诱人的应用前景。双极型OFET由于其......
