栅极可靠性相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

栅极可靠性相关论文

基于SiON/Al2O3叠层介质的薄势垒型HEMT栅极相关可靠性研究

GaN材料因其优秀的物理特性受到越来越多研究者的青睐，但常关型GaN基HEMT技术发展尚处于初级阶段。本文的研究对象是薄势垒常关型HE......

期刊

电力电子器件氮化镓常关型操作栅极可靠性

p型柵结构GaN基HEMT器件及其可靠性研究

Ⅲ族氮化物属第三代半导体材料,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、且耐高温、耐高压、抗辐射等优良特性,是制备电力电子器件的理想......

学位

AlGaN/GaN HEMT 缺陷效应栅极可靠性负跨导效应

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