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碳化硅MOSFET的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中，依据器件关断......
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法.所提方法具有不增加面积和延时、改善静态噪声边界、对......
在45nmCMOS工艺进入商业化生产的今天,为避免超薄栅介质的引入所导致的栅极漏电流影响器件的可靠性,业界已普遍采用高k材料取代传......
