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金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)驱动有源发光二极管(AMOLED),通常需要对驱动管进行电路补偿.模拟结果发现越小的器件寄生电容,电路......
为了克服器件尺寸缩小达到O．lum时，与多晶硅栅和薄栅氧化物有关的诸多问题，如栅耗尽、高阻栅、沟道区内的棚渗透、栅氧化隧道漏泄等等......
栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题，而且对漏电流造成很大的影响。......
本文借助氩离子 (Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n MOSFETsSi/SiO2 界面附近剩余机械应力 .结果表明 :NH3氮化及N2 O......
