MOSFET器件相关论文
现代半导体工艺技术的不断提升极大地推动了集成电路的发展，对器件的性能需求也越来越高。工艺水平的提升，带动了器件从微米级向纳米......
对于复杂装备系统,由于系统内用电设备较多,而这些用电设备都依赖同一条母线供电,任何一个用电设备出现故障短路时都会使供电母线......
本文以一款P型功率MOSFET器件为例,利用半导体软件对实际工艺流程进行模拟仿真,为实际工艺优化提供数据参考,可有效缩短器件的开发......
由于硅材料的禁带宽度较窄,导致其在阻断电压、能耗、工作温度和开关频率等方面已难以满足新一代功率系统的要求,成为了电力电子系......
学位
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能.漏极电流将减小,长时间的可靠性也会受到影响.在SOI器件中,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的......
MOSFET作为一个时代的产物,随着技术领域的发展与进步,特别是针对大电流、小封装以及低功耗的MODFET器件的出现,已经得以广泛的运......
在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得......
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供......
High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......
集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电......
飞兆半导体公司为手机和其他超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或......
本文采用0.25微米工艺制备了CMOS器件和电路,通过对300K、77K和4K温度下器件和电路特性的测量,研究了工作温度降低对CMOS电路特性......
虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益，但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度不稳......
栅电介质击穿是MOSFET器件工作中主要的失效模式之一。由击穿而引起的栅泄漏不仅是电损耗增加的问题，而且对漏电流造成很大的影响。......
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手......
飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）已推出四款30V、N沟道PowerTrench？MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性，能满足今日最具......
Diodes公司进一步扩展其多元化的MOSFET产品系列，推出15款针对LCD电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO......
近日,安森美半导体推出2款新的MOSFET器件EFC6601R和EFC6602R,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护电路开关......
飞兆半导体公司（FARICHILD）为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ,能够......
分析了限制电火花加工脉冲电源高频化的因素,利用并联谐振软开关技术和高速功率MOSFET器件,设计了一种新型电火花加工脉冲电源,对......
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以......
在氧化钒系列中,二氧化钒(VO_2)由于其优异的相变性能,而且可以掺杂适当的离子来改变VO_2相变温度,通过制备薄膜和纳米结构形式的V......
论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂......
近年来,宇航用功率继电器发生了多起触点粘连故障,分析表明星上电子设备为提高电源品质,在输入端装有大容量滤波电容,继电器在接通......
