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栅源泄漏电流相关论文
X波段大功率GaN HEMT内匹配器件研制
自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4A鼍级减小到了10-6A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性。采用MIS结构制作了......
会议
GaN HEMT
内匹配器件
输出功率
功率增益
栅源泄漏电流
栅漏击穿电压
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