功率增益相关论文
分析了三传输线型脉冲压缩装置的原理，从提高功率增益和小型化角度，在脉冲压缩装置中设计了一种3起端并联绕线的内置型高阻螺旋线结......
针对传统配电网节能降损技术忽略建立节能寻优方程,使节能降损无法达到最优效果的缺陷,提出了多供电指标约束下配电网节能降损技术......
设计了大型ＫｒＦ准分子激光器放大自发辐射的三维和准三维计算程序，比较了两种方法的差别。通过对不同纵横比、增益吸收比及注入光强条件......
采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效......
介绍了一款采用四级级联结构的高增益宽带Ku波段中功率放大器单片集成电路,依据电路原理和放大器性能指标设计了电路原理图,利用AD......
超宽带系统(Ultra-Wideband，UWB)和60GHz无线系统中，已应用了基于正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multiplex，OFDM)技术......
随着光通信网络速率的不断提升,信号在传输过程中产生的色散现象也越来越严重,因此为了保证信号传输的准确性,对传输信号进行色散......
本文描述了一种月面反射通信的系统，基本原理是利用月球作为通信卫星，通过向月球发射高功率的无线信号，利用月面反射回地球以实现全球......
传统光伏发电系统最大功率点定位精度较差,导致光伏发电系统的功率增益较差,为此提出基于激光点跟踪定位的光伏发电系统最大功率点......
为了研究PCB(printed circuit board)平面电感的电磁辐射问题,基于天线理论把平面电感线圈中的每一圈看作一个环形天线,利用HFSS软......
研究了采用空间分集技术补偿机间激光通信链路中的大气湍流影响。基于直接相干探测接收分集系统模型,分析了最佳合并(OC)接收分集......
目前,高速铁路建设正在火热的进行中,相应的服务质量也应当有所提升,而在高速列车上安装数字移动电视是提升服务质量的重要体现,所......
近些年来，集成无线通信芯片被广泛应用于导航定位、物联网、移动终端、智能家居等多个行业，衍生出多样的通信协议。为了顺应市场的需......
在晶体管发射极电流集边效应理论及其应用 [4]～ [7]的基础上 ,研究了射频功率晶体管版图的系列化设计。通过理论和实验结果的对比分......
谐振环是一种利用较小的储能产生高射频峰值功率的行波腔.本文描述了谐振环的基本原理,介绍了在S-波段直线对撞机(SBLC)中的高功率......
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计了一个应用于GPS接收机的低噪声放大器电路。低噪声放大器电路包含两级放大器,前级为共源放大器,后......
频率特性是异质结双极型晶体管（HBT）设计中应首先考虑的因素，而fτ，fmax。则是HBT最主要的频率性能指标。首先基于InP／InGaAsHBT器件的......
采用SMIC0．18μm CMOS工艺设计了一款2．4GHz Doherty结构功率放大器．两子功放均采用两级放大结构，提高了功放的功率增益和功率附加效率......
研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN共栅共源器件的特性.该器件包括栅长0.8 μm共源器件与栅长1 μm的共栅器件.研究表明,共栅共源器件的第......
南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展，研制出的器件在2.7-3.4GHz超宽带内，脉宽100μs，占空......
为了实现高功率微波初级波源的小型化，获得更高功率的输出微波脉冲，研制了用于高功率微波脉冲压缩的能量倍增器。利用了快速反转开关......
首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100 M......
随着高速运算放大器和模数转换器（ADC）的出现，RF工程师们发现自己开始在HF和VHF频段上与这些器件打交道了。由于特征阻抗常常与50Ω相......
简要介绍CDMA直放站在无线网络中的应用现状及出现的问题；从理论角度对CDMA直放站引入的噪声特点进行分析：结合工程建设案例，针对CDMA......
阐述了一个采用Chartered 0．35μmCMOS工艺实现的应用于315MHz幅度键控接收芯片的低功耗窄带低噪声放大器。该电路主要采用限定功耗......
设计了一个工作频段902～928MHz、输出功率19dBm、功率增益高达27dB应用于射频识别（RFID）系统的驱动级功率放大器。运用了仿真优化和实......
使用安捷伦的ADS系统，设计一个适用于射频无线的CMOSLNA，使用0．25μm的制造工艺全集成化设计，工作电压为2．5V，工作频率为2．38GHz。重点对L......
基于严格的电磁场理论，给出了左手介质壳包围电偶板子后的辐射场本征函数级数解。应用该级数解求解出该情况下的辐射功率，并与自由空......
描述了基于CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计，其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机(如符合IEEE802．11a和802．11b／g标准的WLAN)......
在6H-SiC衬底上，外延生长了AlGaN／GaNHEMT结构，设计并实现了高性能1mmAlGaN／GaN微波功率HEMT，外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术......
分析了基于同轴Blumlein线的高功率脉冲源对低阻抗短形成线充电、实现脉冲压缩的基本原理,给出了理想情况下,脉冲压缩后输出的高功......
利用脉冲压缩技术,将具有一定初始电压的高阻抗长脉冲形成线对低阻抗短脉冲形成线充电到一定值时,其输出开关导通,在其后的传输线......
介绍了一种采用三传输线型形成线压缩技术直接产生高功率亚纳秒脉冲的方法。给出了脉冲压缩的理论分析,设计了相应的脉冲压缩装置,......
数值求解了克尔放大介质中描述圆柱对称平面光束小扰动发展变化的微分方程,指出了介质入口处和出口处的最快增长频率都不是功率增......
为了开展S波段能量倍增器脉冲压缩实验,对能量倍增器进行了冷测和热测工作,主要包括对能量倍增器的指标、参数的测量以及在高功率......
设计了一种基于SOI的RFLDMOS功率器件，建立了该器件的信号模型，分析了该器件的静态参数、动态参数和功率输出特性．借助仿真器，得到所研......
针对实现功率放大器输出端获得最大输出功率,放大器设计主要保证能减小失真,增加线性度,就可以提高功率,为此提出了一种利用负载牵......
研究低噪声放大器和优化问题,射频识别系统读卡器的读卡性能,决定了放大器的优化效果。为提高系统性能,采用参数方程和ADS(Advance......
基于描述脉冲放大过程的时间相关非线性辐射迁移方程,对不同形状脉冲经掺镱光纤放大器传输后的功率特性进行了分析,该方程同时考虑......
传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少......
针对天线上行组阵中阵元布局对远场功率合成增益影响的问题,给出了组阵地面布局的要求,包括阵元间最小距离、布局紧凑性、灵活性、......
基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺，设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。该功放工作在AB类偏置状态，由三级放大电路级联构成，并......
介绍了一个采用0.18μm 1.8V RF CMOS工艺,适合GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模......
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象，并对此进行了研究探......
介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式，通过对硅脉冲微波功率器件直流参......
