栅电压相关论文
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明......
对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状三个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性......
该文提出了一种实验方法，用于测量电应力作用下栅介质膜的电荷陷落过程中的几个物理量，如陷阱电荷密度、电荷中心位置、注入介质膜的......
该文基于他们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数。对高温超导场效应晶体管的低频电流－电压特性进行了数值模......
研究了逆变焊机中核心开关器件IGBT主要参数的选择，分析逆变硬开关电路拓扑，移相软开关和双零软开关电路拓扑中IGBT的应用特点，根据其......
本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择，分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合适额定电压，额定......
IGBT是一种新型的电压控制型电力半导体器件，伴随太阳能、风能、汽车电子等新能源时代的到来，IGBT在现代电力电子技术起着核心作用，而......
基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术,成功制备了2%（质量分数）Sb掺杂SnO_2纳米线,所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响;......
