跨导相关论文
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器......
基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导......
随着人工智能时代的到来,半导体芯片技术的发展越来越迅速,模拟集成电路的地位也越来越重要,国家对集成电路的支持力度也在迅速增......
在数以百计的国产电子管中,有很多种品质优良,若用于音响装置,不但音质表现好,而且工作可靠,大多数平时保养得好的管子即使“年届......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
本文介绍了一种CMOS自稳零电压比较器的设计。该比较器具有高精度,高灵敏度和较快的速度,其工艺条件及参数与数字电路兼容。文章通......
介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分......
期刊
当今，最先进的芯片上集成晶体管的数目已接近1012数量级，这就说明IT的原动力半导体技术，也可以说就是MOS技术的重要性。 近年来，随......
报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HFE T的制备以及室温下器件的性能.器件栅长为0.8 μm,源漏间距为3 μm,得到器件的最大漏电流密度为......
通过InGaAs材料的APD、、跨导电路、恒比定时、差分放大的模拟接收电路、无线充电上下层分离式供电、主控电路上的角度编码器、高......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。......
期刊
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显......
报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的......
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对N沟6H碳化硅MOSFET阈值电压和跨......
通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件......
基于0.34 CMOS工艺,设计了一个Rail-to-Rail输入,静态电流小于3,工作在亚阈区的极低功耗运算放大器.采用一个电流开关和一个电流镜......
设计了一个轨到轨输入输出范围的低噪声运算放大器。在输入级采用电流补偿的方法来稳定该运算放大器在整个输入共模范围内的跨导，在......
本文介绍了如何计算放大器的最小跨导，它是确保整个振荡模块在使用特定外部零件的情况下能够起振的重要参数；同时，给出了测量方法，以验......
给出了一种常用两级低电压CMOS运算放大器的输入级、中间增益级及输出级的原理电路图,并阐述其主要工作特性.输入级采用了NMOS管和......
介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单......
在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响......
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率......
在铁电存储器制备过程中,Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交......
介绍一种应用于涡轮叶片温度检测系统中的峰值采样电路,采用集成和分立元件混合的跨导型峰值采样电路。经仿真和实验验证,该电路具......
简述连续时间滤波器的概况、现状。介绍处于主导地位的几种电流模式滤波器的组成、特点和典型应用。针对滤波器性能改进，介绍并讨论......
驻极体电容传声器结构筒单，易于生产，价格便宜。具有体积小，质量小，噪声低，频响好，灵敏度高等特点。其生产工艺早已定型，但因生产单位的工......
本文针对传统场效应管(FET)放大电路设计中存在的重稳定Q点而忽视跨导gm值变化的弊端,提出了一种使跨导gm变化最小的改进方案,从而......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
探测接收前端是激光告警系统的关键部件,针对数字激光告警系统设计激光脉冲探测接收前端。采用宽带、高增益、低噪声的跨导放大方......
在电路制作、维修过程中，有时需要测量场效应管的跨导gm，而一般的电子爱好者手中没有相应的仪器。本文介绍的电路能方便地测量场效应......
研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下，氧等离子体可以使A1GaN表面发生氧化，形成Al_2O_3薄氧化膜，提高肖......
在不同注F剂量条件下，对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照内应进行了研究．分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照......
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
本文提出并设计了一种新型注入信号的功率源,说明了它的工作原理,重点指出其设计上的特点,最后计算了此功率源的放大倍数及跨导.......
分析了Gilbert结构有源双平衡混频器的工作机理,以及混频器的转换增益、线性度与跨导、CMOS沟道尺寸等相关电路参数间的关系,并据......
研究了AlGaN/GaN HEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-......
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的......
该文通过对HEMT物理模型的分析及对之前所设计的HEMT结构的总结,利用TCAD进行仿真,分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏......
提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构，并提出了具体的工艺实现方法。此结构采用栅工程的概念，设计的栅由S-gate和Dgate......
介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法．当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时，根据仿真结果......
针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg......
讨论了用不同有源器件实现的几种阻抗变换器以及相应的仿真电感的实现电路,用Pspice软件对常见的接地仿真电感的性能进行了分析和......
本文提出了一种非对称套筒式共源共栅放大器。同传统对称套筒式共源共栅运算放大器相比,在相同的带宽和输入跨导情况下,非对称套筒......
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