应用于无线充电系统的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)易产生桥臂串扰问题并影响运行可靠性.首先对桥臂串扰的产......

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,具有导通电......

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电动汽车、航空、航天、电力牵引、家电等领域的飞速发展对永磁同步电机驱动器提出了更高的要求,希望其具有更高的效率、更高的功......

为适应SiC-MOSFET相比Si-IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的......

随着电力电子技术的发展,硅基电力电子器件已接近发展极限,基于碳化硅材料的功率器件以其高耐压等级、高开关频率、低导通损耗和低......

在对碳化硅基变换器中的桥臂串扰产生机理进行深入分析的基础上,提出一种新型有源箝位桥臂串扰抑制方法,并构成适用于碳化硅（Silico......