传统硅器件的性能表现已接近材料极限,难以进一步提高,限制了永磁同步电机驱动系统的性能提升。新型宽禁带半导体材料氮化镓（Ga N）具......

结合IGCT串联6kV/1000kW中性点箝位三电平变频器的研制,对高压大功率IGCT器件的保护方法进行了深入研究,提出了从硬件和软件两方面......

本文讲述了水电机组一次调频的介绍及运行方式，并对水电机组一次调频管理做出了相关条款分析，并提出水轮机调速器调节死区的设置。......

重点介绍了双向全桥直流变换器中高频隔离变压器的漏感与串联辅助电感的参数优化设计。直流变换器作为高频隔离双向多电平变换器的......

由于碳化硅（SiC）材料出色的物理特性,SiC MOSFET成为最有可能取代Si IGBT的电力电子器件。尤其在中/高压大功率应用场合,SiC MOSFET......