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<正>SiO2 films were firstly implanted by 120 keV C-ions at room temperature (RT) and then irradiated at RT with 1.75 GeV......
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加强的氧化物分散(ODS ) 因为,钢在熔化反应堆为高温度应用被认为候选人同样潜在他们的优秀热爬行为。在现在的工作,双目标磁控管共......
驱散的 ferrum (Fe ) 拍摄的氧化钇(Y) 被共同劈啪作响的双目标磁控管准备方法。真空退火和氙离子照耀被进行在这些电影的磁性、机......
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采用7MeV的Xe26+和1 MeV的Xe20+在室温和600℃下分别对316SS块体和TEM试样进行了辐照实验.利用纳米压痕仪测试材料辐照损伤前后的......