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氮化铟铝相关论文
分压诱导的一维InxAl1_xN纳米材料的形貌及成分调变
一维InAIN纳米材料在光电子领域具有广阔应用前景,但由于InN与AIN之间的巨大晶格失配,其合成和成分调变极具挑战.通过lnCI3、A1C13......
会议
一维纳米半导体
氮化铟铝
化学气相沉积
分压匹配
形貌调控
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InAlN RTD材料生长及器件研究
共振隧穿二极管(RTD)是极具发展潜力的新型纳米器件,在高频振荡器、和高速数字电路等方面有着广阔的应用前景.GaN负阻器件同传统的......
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共振隧穿二极管
氮化铟铝
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