分子束外延生长相关论文
近年来,直接硒化或者碲化金属衬底形成的二维硫基层状化合物,因具有独特的拓扑性质而受到广泛关注。如Pt Se2作为第二类狄拉克半金......
生长在SrTiO3衬底上的单层FeSe薄膜（FeSe/STO）由于其本身独特的电子结构,以及可能是铁基高温超导体中最高超导转变温度的记录创造者,......
红外探测器是红外探测成像系统中最重要的核心部件之一。从二战期间第一个PbS可实用红外探测器的出现到如今正蓬勃发展的第三代大......
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
在最近几年的凝聚态物理学发展中,拓扑材料如拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究已经成为一个热点方向,拓扑材料所具有的各种新奇物性被......
分子束外延生长技术是当代半导体材料和器件制造中最先进、最精细、非常复杂的技术.一个分子束外延实验室不仅仅是一台分子束外延......
近些年,单元素二维材料,例如:石墨烯,硅烯,锗烯,锡烯,锑烯等等,以其特殊的电子结构和新奇的性质引起了人们广泛的关注。在不断寻找......
本文研究了利用氮等离子体辅助的分子束外延设备制备的一系列氮化锰薄膜Mn3N2、Mn2N、Mn4N的磁性能。通过RHEED、XRD、XPS、SEM、A......
元素铅是第一类常规s波超导体,体态铅的超导转变温度为7.2K,它是最简单的具有强自旋轨道耦合的体系。而铅薄膜由于其强烈的量子尺......
应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronm......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors (HEMT)和Pseudomorphic high electro......
在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长了InAs纳米结构材料,通过改变生长方式,得到了InAs量子点和量子线.根据扫描电镜和透射电......
采用分子束外延(MBE)生长技术生长了周期厚度不同的1 e V吸收带边的Ga N0.03As0.97/In0.09Ga0.91As应变补偿短周期超晶格(SPSL)。......
采用一种新型非谐振能量提取设计方法设计了用于4．6μm光发射的应变平衡InP基量子级联激光结构，该结构通过分子束外延生长。目前用于......
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料，我们通过等离子体分子束外延设备，在a-plane的蓝宝石衬底生长了高质量的氧化锌外延材料......
报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了 C对Ge 组......
美国Raytheon公司已能用分子束外延方法在4"硅晶片上生长HgCdTe中波红外双层异质结(MWIRDLHJ),并能用这些晶片制造高性能器件.测试......
<正> Ⅲ-Ⅴ族锑化物由于具有一些独一无二的特点,使它越来越受到重视。首先锑化物的禁带宽度比砷化镓的小,与砷化镓相比,它在中红......
采用分子束外延方法在室温下于Si（001）表面上生长ZnO材料。实验发现：样品为闪锌矿和六角结构的ZnO混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具......
在LaAlO3（111）衬底上，利用分子束外廷（MBE）方法，在生长温度为480℃下，制备了高质量纯TiO2及TiO2掺Cu薄膜，并采用拉曼光谱、光电子能谱（XPS）等......
描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求.采......
我们自行研制了具有三级差分气路可以在高气压下工作的RHEED系统(High-pressure RHEED)，并利用本系统实时监测了(001)SrTiO3基片上S......
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-......
Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现,不同尺寸的掩膜窗内生长的SiGe外延层中的位错密度在整个外延层中从SiGe/Si界面到......
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对分子束外延生长的GaNAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声 子......
随着石墨烯这一新型的二维原子晶体的发现,二维原子晶体的研究在全世界范围内引起了广泛的关注。继石墨烯之后,类石墨烯材料如硅烯......
近年来,有机分子薄膜器件表现出巨大的发展潜力和市场前景,成为广泛关注的热点,倍受科学界和工业界的重视。研究有机分子薄膜生长......
在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致......
1 引言近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提......
太赫兹波是指频率在0.1-10 THz,对应的波长为3000-30mm的电磁波。该波段相比于与微波、毫米波具有更高的空间与时间分辨率;相比于......
研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱.用非接触式测量方法--光谱法测定了等离子体特性.讨论了分......
硅锗异质材料外延和器件制备成为目前半导体器件技术发展的一个热点,寻求利用锗材料优异的电子学和光学特性来提高传统硅器件性能......
高功率980nm单模脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器和一些固体激光器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,......
高功率980nm脊形量子阱半导体激光器作为光纤放大器的泵浦源,以及在通讯、军事和医疗等方面的广阔应用前景,成为目前产业化的热点......
长波长InGaAs材料的应变量子阱激光器多年来在国际上受到广泛重视，但是由于应变材料受到临界厚度的影响，激射波长一直以来都难以突破......
